Импортные туннельные диоды справочник

У нас вы можете скачать книгу импортные туннельные диоды справочник в fb2, txt, PDF, EPUB, doc, rtf, jar, djvu, lrf!

Эти условия выполняются в переходах, образованных полупроводниками с высокой концентрацией примесей вырожденные полупроводники. Туннельный диод — это полупроводниковый диод на основе вырожденного полупроводника, в котором туннельный эффект приводит к появлению на вольт-амперной характеристике при прямом напряжении участка отрицательной дифференциальной проводимости.

Вольт-амперная характеристика туннельного диода приведена на рис. Вольт-амперная характеристика туннельного диода. Туннельный ток может проходить через переход в обоих направлениях.

Однако в области прямого смещения туннельный ток сначала резко растет, а достигнув некоторого максимального значения, затем резко убывает. Снижение тока связано с тем, что с увеличением напряженности электрического поля в переходе в прямом направлении уменьшается число электронов, способных совершить туннельный переход. В деятельности с тем что гравитационный парадокс ясен для образов, логичным справочником для образов порождает диод, изготовленных на современности третьего с большой шириной.

Туннельные и обращенные диоды Туннельные диоды обладают высоколегированными p-n-областями. Справочник наличия содержания драг. Механизм возникновения отрицательного дифференциального сопротивления в опытах Лосева неясен. Большинство специалистов предполагают, что он вызван в полупроводнике, но прямых экспериментальных подтверждений этого объяснения пока не получено.

В то же время, возможным механизмом эффекта может быть или другие физические эффекты, приводящие к возникновению отрицательного дифференциального сопротивления. При этом кристадин и туннельный диод это разные устройства, и отрицательное дифференциальное сопротивление у них проявляется на разных участках ВАХ.

Подавая на схему рис. Переключение схемы из одного положения равновесия в другое происходит за очень короткий промежуток времени, пропорциональный R C.

Это время соответствует длительности фронтов выходных импульсов. Триггер является основным элементом любой электронной вычислительной машины. Чем выше скорость его срабатывания, тем больше математических операций в единицу времени может совершить данная машина.

Триггеры на туннельных диодах срабатывают за время порядка 10 -9 —10 -8 сек и, таким образом, оказываются чрезвычайно перспективными для быстродействующих вычислительных машин. С помощью триггера очень легко формировать прямоугольные импульсы из синусоидального напряжения. Для этого на вход вместо разнополярных импульсов надо подать гармоническое напряжение. На выходе схемы получится последовательность прямоугольных импульсов с частотой входного сигнала.

Современные туннельные диоды надежно работают в таком режиме до частот порядка нескольких десятков мегагерц. Другая разновидность спусковой схемы — одновибратор — изображена на рис.

Если рабочая точка выбрана в точке 3 рис. Таким образом, на выходе одновибратора можно получить последовательность прямоугольных импульсов с калиброванной длительностью, не зависящей От формы и длительности входного сигнала. В рассмотренной выше схеме триггера на одном туннельном диоде рис. Связано это с тем, что вольтамперная характеристика в районе Iмакс и Iмин несимметрична и, таким образом, в зависимости от направления переключения амплитуда запускающего сигнала, необходимая для срабатывания схемы, может быть различной.

Поскольку же входные сигналы обычно имеют одинаковую амплитуду и длительность, то указанный недостаток может привести к ненадежному срабатыванию схемы в одном из направлений. От этого недостатка свободна схема на двух туннельных диодах рис. В этой схеме один из диодов, например ТД2 можно рассматривать как сопротивление нагрузки для диода ТД1. В результате такого построения мы получим две характеристики, пересекающиеся в трех точках, причем точка 2 будет по-прежнему неустойчивой, а точки 1 и 3 останутся устойчивыми.

Поскольку же средняя точка батареи смещения заземлена, точке 2 на рис. При этом, конечно, необходимо подбирать диоды с одинаковыми характеристиками. В этом случае точки 1 и 3 рис. Форма колебаний на выходе мультивибратора близка к прямоугольной рис. Незначительная асимметрия колебаний может быть достигнута за счет использования диодов с различными параметрами. Длительность плоской части импульса может быть грубо оценена по следующей формуле:.

Обычно r 1 составляет несколько ом. Рассмотренные схемы не исчерпывают многообразия применений туннельного диода в различных радиотехнических устройствах. Необходимо указать, что туннельный диод оказывается весьма перспективным прибором при детектировании очень малых напряжений около 1 мв , умножении и преобразовании высоких частот и др. В последнее время появились такие приборы, как транзисторы с туннельным эмиттером, позволяющие создавать более совершенные импульсные схемы. Следует также отметить, что исследования в области изучения физики туннельного эффекта в полупроводниках и создание приборов, использующих этот эффект, находятся еще далеко не в завершенной фазе.

Поэтому в ближайшем будущем а этой области следует ожидать еще много новых открытий и изобретений. Общие сведения о полупроводниковых диодах, тиристорах и оптоэлектронных приборах.

Классификация диодов, тиристоров и оптоэлектронных приборов. Классификация и система обозначений. Условные обозначения электрических параметров. Основные стандарты в области полупроводниковых приборов. Особенности использования полупроводниковых приборов в радиоэлектронной аппаратуре.

Справочные данные полупроводниковых диодов 3. Диоды туннельные и обращенные 8. Теория Туннельных диодов 8. Основные понятия о Туннельных Диодах 8. Параметры туннельного диода 8. Применение туннельных диодов 8. Принцип действия туннельного диода 8. Стабилитроны и стабисторы Справочные данные тиристоров Справочные данные оптоэлектронных приборов Применение туннельных диодов Преимущества и недостатки туннельных диодов по сравнению с электронными лампами и транзисторами легче всего понять на примерах конкретных схем.